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                  族譜網(wǎng) 頭條 人物百科

                  價層電子對互斥理論

                  2020-10-16
                  出處:族譜網(wǎng)
                  作者:阿族小譜
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                  理論基礎(chǔ)價層電子對互斥理論的基礎(chǔ)是,分子或離子的幾何構(gòu)型主要決定于與中心原子相關(guān)的電子對之間的排斥作用。該電子對既可以是成鍵的,也可以是沒有成鍵的(叫做孤對電子)。只有中心原子的價層電子才能夠?qū)Ψ肿拥男螤町a(chǎn)生有意義的影響。分子中電子對間的排斥的三種情況為:孤對電子間的排斥(孤-孤排斥);孤對電子和成鍵電子對之間的排斥(孤-成排斥);成鍵電子對之間的排斥(成-成排斥)。分子會盡力避免這些排斥來保持穩(wěn)定。當(dāng)排斥不能避免時,整個分子傾向于形成排斥最弱的結(jié)構(gòu)(與理想形狀有最小差異的方式)。孤對電子間的排斥被認(rèn)為大于孤對電子和成鍵電子對之間的排斥,后者又大于成鍵電子對之間的排斥。因此,分子更傾向于最弱的成-成排斥。配體較多的分子中,電子對間甚至無法保持90°的夾角,因此它們的電子對更傾向于分布在多個平面上。實際預(yù)測下面是價層電子對互斥理論預(yù)測的分子形狀表。?孤電子對以淡黃色球體表示。?分子的實際幾何...

                  理論基礎(chǔ)

                  價層電子對互斥理論的基礎(chǔ)是,分子或離子的幾何構(gòu)型主要決定于與中心原子相關(guān)的電子對之間的排斥作用。該電子對既可以是成鍵的,也可以是沒有成鍵的(叫做孤對電子)。只有中心原子的價層電子才能夠?qū)Ψ肿拥男螤町a(chǎn)生有意義的影響。

                  分子中電子對間的排斥的三種情況為:

                  孤對電子間的排斥(孤-孤排斥);

                  孤對電子和成鍵電子對之間的排斥(孤-成排斥);

                  成鍵電子對之間的排斥(成-成排斥)。

                  分子會盡力避免這些排斥來保持穩(wěn)定。當(dāng)排斥不能避免時,整個分子傾向于形成排斥最弱的結(jié)構(gòu)(與理想形狀有最小差異的方式)。

                  孤對電子間的排斥被認(rèn)為大于孤對電子和成鍵電子對之間的排斥,后者又大于成鍵電子對之間的排斥。因此,分子更傾向于最弱的成-成排斥。

                  配體較多的分子中,電子對間甚至無法保持90°的夾角,因此它們的電子對更傾向于分布在多個平面上。

                  實際預(yù)測

                  下面是價層電子對互斥理論預(yù)測的分子形狀表。

                  ? 孤電子對以淡黃色球體表示。

                  ? 分子的實際幾何構(gòu)型,即不包含孤對電子的構(gòu)型。

                  價層電子對互斥理論常用AXE方法計算分子構(gòu)型。這種方法也叫ABE,其中A代表中心原子,X或B代表配位原子,E代表孤電子對。

                  范例

                  甲烷分子(CH4)是四面體結(jié)構(gòu),是一個典型的AX4型分子。中心碳原子周圍有四個電子對,四個氫原子位于四面體的頂點,鍵角(H-C-H)為109°28"。

                  一個分子的形狀不但受配位原子影響,也受孤對電子影響。氨分子(NH3)中心原子雜化類型與甲烷相同(sp),分子中有四個電子云密集區(qū),電子云分布依然呈四面體。其中三個是成鍵電子對,另外一個是孤對電子。雖然它沒有成鍵,但是它的排斥力影響著整個分子的形狀。因此,這是一個AX3E型分子,整個分子的形狀是三角錐形,因為孤對電子是不可“見”的。

                  事實上,電子對數(shù)為七是有可能的,軌道形狀是五角雙錐。但是它們僅存在于不常見的化合物之中,比如在六氟化氙中,有一對孤電子,它的構(gòu)型趨向于八面體結(jié)構(gòu),因為孤對電子傾向于位于五角形的平面上。另一個例子為七氟化碘,碘沒有孤電子,七個氟原子呈五角雙錐狀排列。

                  電子對數(shù)為八也是有可能的,這些化合物一般為四方反棱柱體結(jié)構(gòu), 例子有八氟合氙酸亞硝酰中的 [XeF8] 離子 以及八氰合鉬(Ⅳ)陰離子 [Mo(CN)8] 和八氟合鋯(Ⅳ)陰離子 [ZrF8]。

                  例外

                  在一些化合物中VSEPR理論不能正確的預(yù)測分子空間構(gòu)型。

                  過渡金屬化合物

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                  IIA族鹵化物

                  較重堿土金屬的三原子鹵化物的氣相結(jié)構(gòu)(例如:鈣、鍶、鋇的鹵化物,MX2)并不像預(yù)測的那樣為直線形,而是V形。(X-M-X的大致鍵角:CaF2,145°;SrF2,120°;BaF2,108°;SrCl2,130°;BaCl2,115°;BaBr2,115°;BaI2,105°). 格萊斯皮(Ronald Gillespie)提出這是因為配體與金屬原子的內(nèi)層電子發(fā)生相互作用,極化使得內(nèi)層電子云不是完全球面對稱,因此導(dǎo)致了分子構(gòu)型的變化。

                  一些AX2E2型分子

                  一個例子是氧化鋰分子,即Li2O,它的中間構(gòu)型是直線形而不是彎曲的,這一點可以歸結(jié)于如果構(gòu)型是彎曲的,鋰原子之間將產(chǎn)生強烈的排斥作用。 另一個例子是O(SiH3)2(二甲硅醚)的Si-O-Si鍵的鍵角為144.1°,與其他分子中的鍵角相比差別較大,比如Cl2O (110.9°)、(CH3)2O (111.7°)以及N(CH3)3 (110.9°)。格萊斯皮的合理解釋是孤對電子的位置不同。當(dāng)配體的電負(fù)性與中心原子類似或更大時,孤對電子有能力排斥其他電子對,導(dǎo)致鍵角較小。 當(dāng)中心原子電負(fù)性較大時,就像O(SiH3)2中,孤對電子的定域不明顯,排斥作用較弱,這種結(jié)合導(dǎo)致了強配體之間的排斥(-SiH3與上面的例子相比是一個比較大的配體)使得Si-O-Si鍵的鍵角比預(yù)想的要大。

                  一些形如AX6E1的分子

                  一些AX6E1型分子,例如含有Te(IV)或Bi(III)離子的化合物如TeCl6、TeBr6、BiCl6、BiBr6和BiI6是正八面體結(jié)構(gòu);其孤對電子并不影響其構(gòu)型。 一種合理化解釋是因為配體原子排列的擁擠沒有給孤對電子留下空間;另一種合理化解釋是惰性電子對效應(yīng)。

                  與其他相關(guān)理論的對比

                  價層電子對互斥理論、價鍵理論和分子軌道理論都是關(guān)于分子如何構(gòu)成的理論。價鍵理論主要關(guān)注于σ鍵和π鍵的形成,通過研究受成鍵情況影響的軌道形狀描述分子的形狀。價鍵理論也會借助VSEPR。分子軌道理論則是關(guān)于原子和電子是如何組成分子或多原子離子的一個更精密的理論。


                  免責(zé)聲明:以上內(nèi)容版權(quán)歸原作者所有,如有侵犯您的原創(chuàng)版權(quán)請告知,我們將盡快刪除相關(guān)內(nèi)容。感謝每一位辛勤著寫的作者,感謝每一位的分享。

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