始祖 : (明) 胡明一. 于洪武時(shí)自吳江泰和來(lái)永始城.
胡明一相關(guān)文獻(xiàn)
北京市胡正明
微電子學(xué)家。美國(guó)國(guó)籍。1947年7月出生于中國(guó)北京。1973年獲美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校博士學(xué)位?,F(xiàn)任美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校杰出講座教授、北京大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系兼職教授、中國(guó)科學(xué)院微電子所榮譽(yù)教授、臺(tái)灣交通大學(xué)(新竹)微電子器件榮譽(yù)教授、1991-1994年任清華大學(xué)(北京)微電子學(xué)研究所榮譽(yù)教授。1997年當(dāng)選為美國(guó)工程科學(xué)院院士。胡正明教授是微電子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要開(kāi)拓者,對(duì)半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)及未來(lái)的微型化做出了重大貢獻(xiàn)。主要科技成就為:領(lǐng)導(dǎo)研究出BSIM,從實(shí)際MOSFET晶體管的復(fù)雜物理推演出數(shù)學(xué)模型,該數(shù)學(xué)模型于1997年被國(guó)際上38家大公司參與的晶體管模型理事會(huì)選為設(shè)計(jì)芯片的第一個(gè)且唯一的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn);發(fā)明了在國(guó)際上極受注目的FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件;對(duì)微電子器件可靠性物理研究貢獻(xiàn)突出:首先提出熱電子失效的物理機(jī)制,開(kāi)發(fā)出用碰撞電離電流快速預(yù)測(cè)器件壽命的方法,并...
胡明庶
生平嘉靖四年(1525年)舉人。嘉靖十一年(1532年)壬辰科第三甲第一百九十二名進(jìn)士。觀通政司政。未仕,教授生徒經(jīng)學(xué)以終。著作攻研理學(xué),取《皇極經(jīng)世》、《律呂新書》,詮解章句,以圖說(shuō)明。注釋
胡志明小道
參看越南戰(zhàn)爭(zhēng)橙劑補(bǔ)給線
胡志明市第一郡
地理位置與西貢河,第三郡,第十郡,富潤(rùn)郡和平盛郡相鄰。在第二郡對(duì)面。行政區(qū)劃郡被分為10坊??と嗣裾v阮惠大路。?犧坊(Ph??ngB?nNghé)?城坊(Ph??ngB?nTh&ag
績(jī)溪四胡之明經(jīng)胡
在安徽績(jī)溪一帶居留下來(lái)的胡氏族人,有四個(gè)支脈,被稱為“績(jī)溪四胡”,即“龍川胡”、“金紫胡”、“遵義胡”和“明經(jīng)胡”。胡雪巖、胡適為“明經(jīng)胡”“明經(jīng)胡”又稱“李改胡”,其起源頗為傳奇。當(dāng)年,唐昭宗李嗶因避朱溫叛亂,被迫由長(zhǎng)安遷都洛陽(yáng)。他自知此去東都必死無(wú)疑,并將遭滅族之災(zāi)。便和皇后商量,將襁褓中的第十子,托付給近侍婺源人胡清,速速逃匿。果然,同年仲秋,朱溫在洛陽(yáng)指使屬下追殺了李曄,又將其9個(gè)兒子縊死。胡清很快逃回家鄉(xiāng)徽州,住了下來(lái)。胡清作為義父,精心撫養(yǎng)李氏皇家最后一絲血脈。為安全起見(jiàn),他將“皇子"棄李姓改胡姓,并取名“胡昌翼"。后胡昌翼參加科考,得明經(jīng)科進(jìn)士。胡昌翼知道身世后,決定再不踏進(jìn)官場(chǎng)一步。他從此隱居,閉門專事經(jīng)學(xué)研究,注有《周易專注》,人稱“明經(jīng)公"。明經(jīng)胡氏后人中,為官者少,大多以做學(xué)問(wèn)和經(jīng)商著稱。最為知名者當(dāng)數(shù)紅頂商人胡雪巖、文化名人胡天注和胡適等。胡氏宗族歷代以來(lái)人才輩出,...