概括半導(dǎo)體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶間隙（Bandgap）寬度不同半導(dǎo)體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶寬度不同。絕緣體的能帶比半導(dǎo)體寬，意即絕緣體價帶中的載流子必須獲得比在半導(dǎo)體中更高的能量才能跳過能帶，進入導(dǎo)帶中。室溫下的半導(dǎo)體導(dǎo)電性有如絕緣體，只有極少數(shù)的載流子具有足夠的能量進入導(dǎo)帶。因此，對于一個在相同電場下的本征半導(dǎo)體和絕緣體會有類似的電特性，不過半導(dǎo)體的能帶寬度小于絕緣體也意味著半導(dǎo)體的導(dǎo)電性更容易受到控制而改變。純質(zhì)半導(dǎo)體的電氣特性可以借由植入雜質(zhì)的過程而永久改變，這個過程通常稱為摻雜。依照摻雜所使用的雜質(zhì)不同，摻雜后的半導(dǎo)體原子周圍可能會多出一個電子或一個空穴，而讓半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性變得與原本不同。如果摻雜進入半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度夠高，半導(dǎo)體也可能會表現(xiàn)出如同金屬導(dǎo)體般（類金屬）的電性。在摻雜了不同極性雜質(zhì)的半導(dǎo)體界面處會有一個內(nèi)建電場（built-inelec...

晶體管雙極性晶體管由發(fā)射極，基極，集電極三個電極組成，由通過基極的電流大小可以控制通過發(fā)射極和集電極的電流大小，雙極性晶體管能夠放大信號，并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力。計算機仿真展現(xiàn)的納米線MOSFET中反型溝道的形成（電子密度的變化）。隨著電壓增加，導(dǎo)電溝道形成，電流增加，場效應(yīng)管開通場效應(yīng)晶體管由源極，柵極，漏極三電極組成，由施加在柵極上的電壓可以控制導(dǎo)電溝道的開通關(guān)閉，可用于信號放大，且由于漏電流比雙極性晶體管小，是現(xiàn)代數(shù)字集成電路的基礎(chǔ)?？煽啃园雽?dǎo)體器件對雜質(zhì)和灰塵很敏感。所以在繁復(fù)的生產(chǎn)工藝中，精確控制雜質(zhì)和灰塵的等級是非常必要的。最終產(chǎn)品的質(zhì)量很大程度上依靠生產(chǎn)中的各個相對獨立而又相互影響的生產(chǎn)階段，例如金屬化(metallization),芯片材料(chipmaterial),封裝等。由于技術(shù)飛速進步，新材料和新工藝不斷被用于新研發(fā)的器件中，設(shè)計時間表根據(jù)非循...

發(fā)展1833年，英國的法拉第（MichaelFaraday）發(fā)現(xiàn)的其中一種半導(dǎo)體材料：硫化銀，因為它的電阻隨著溫度上升而降低。1874年，德國的布勞恩（FerdinandBraun），注意到硫化物的電導(dǎo)率與所加電壓的方向有關(guān)，這就是半導(dǎo)體的整流作用。1947年12月23日，巴丁與布拉坦（WalterBrattain）進一步使用點接觸晶體管制作出一個語音放大器，晶體管正式發(fā)明。1958年9月12日，德州的基爾比（JackKilby），細心地切了一塊鍺作為電阻，再用一塊pn接面做為電容，制造出一個震蕩器的電路。1970年，超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。分類以原料分為：元素半導(dǎo)體材料：以單一元素組成的半導(dǎo)體，屬于這一材料的有硼、金剛石、鍺、硅、灰錫、銻、硒、碲等，其中以鍺、硅、錫研究較早，制備工藝相對成熟。復(fù)合半導(dǎo)體材料：由兩種或兩種以上無機物化合成的半導(dǎo)體，種類繁多，已知的二元化合...

參考來源相關(guān)參考N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體

摻雜兩類雜質(zhì)半導(dǎo)體摻雜過程涉及向本征半導(dǎo)體添加摻雜物原子，從而在達到熱平衡的過程中改變電子和空穴這兩種載流子的分布。根據(jù)雜質(zhì)半導(dǎo)體中主要影響力的載流子，可以將半導(dǎo)體分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。引入雜質(zhì)后的半導(dǎo)體是很多電子器件的基礎(chǔ)。