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            詞條
            
            
            
            雙極性晶體管
        
                  
        
                  

    
                  
        

    
                  
    

                  

        
                  
            
                  
                
                  
                    
                  
                        
                  雙極性晶體管
                  
                        
                  
                    
                  
                    
                  雙極性晶體管（英語：bipolar transistor），全稱雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件。雙極性晶體管是電子學歷史上具有革命意義的一項發(fā)明，其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予了1956年的諾貝爾物理學獎。
                  這種晶體管的工作，同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此它被稱為雙極性的，所以也稱雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場效應管的單極性晶體管不同，后者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成。
                  雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴散作用和漂移運動。以NPN晶體管為例，按照設(shè)計，高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子，通過擴散作用運動到基極。在基極區(qū)域，空穴為多數(shù)載流子，而電子少數(shù)載流子。由于基極區(qū)域很薄，這些電子又通過漂移運...
                  
                
                  
                
                  
                    
                  雙極性晶體管簡介資料
                  
                    
                  
                        
                  
                            
                            
                            
                  1947年12 月
                  
                        
                  
                        
                  
                            
                            
                            
                  約翰·巴丁、沃爾特·豪澤·布喇頓
                  
                        
                  
                        
                  
                            
                            
                            
                  雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴散作用和漂移運動。以NPN晶體管為例，按照設(shè)計，高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子，通過擴散作用運動到基極。在基極區(qū)域，空穴為多數(shù)載流子，而電子少數(shù)載流子。由于基極區(qū)域很薄，這些電子又通過漂移運動到達集電極，從而形成集電極電流，因此雙極性晶體管被歸到少數(shù)載流子設(shè)備
                  
                        
                  
                        
                  
                            
                            
                            
                  一種具有三個終端的電子器件
                  
                        
                  
                        
                  
                            
                            
                            
                  雙極性晶體管能夠放大信號，并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用來構(gòu)成放大器電路，或驅(qū)動揚聲器、電動機等設(shè)備，并被廣泛地應用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機器人等應用產(chǎn)品中
                  
                        
                  
                        
                  
                            
                            
                            
                        
                  
                    
                  
                
                  
                
                
                  
                    
                  雙極性晶體管相關(guān)文獻
                  
                    
                  
                        
                  
                            
                  晶體管
                  
                            
                  歷史第一個晶體管的復制品.1925年，加拿大物理學家尤利烏斯·愛德利林費爾德（英語：JuliusEdgarLilienfeld）申請場效應晶體管（FET）的專利1926年，尤利烏斯·愛德利林費爾德（英語：JuliusEdgarLilienfeld）也在美國申請專利，但是他沒有發(fā)布過相關(guān)的文章，而且當時還沒有制作高品質(zhì)半導體的相關(guān)技術(shù)。1934年，德國發(fā)明家奧斯卡海爾（英語：OskarHeil）申請類似裝置的專利。1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點接觸型的鍺晶體管。運用及分類NPN型晶體管示意圖晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）晶體管一般都有三個極，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基極不能做輸出，(C)集電極不能做輸入之外，其余兩個極組成輸入及輸出對。晶體管之所以如此多用途在于其信號放大能力，當微細信號加于其
                  
                            
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                  極性
                  
                            
                  共價鍵的極性水是極性化合物。由于氧原子強烈的電負性，電子對明顯偏向氧一側(cè)，因此氧周圍聚集負電荷（紅色部分），氫原子周圍聚集正電荷（藍色部分）。三角形的三氟化硼分子。盡管3根鍵都是極性鍵，但分子是非極性分子。因為分子對稱，正負電荷中心重合了。共價鍵的極性是因為成鍵的兩個原子電負性不相同而產(chǎn)生的。電負性高的原子，如氟、氧及氮，比電負性低的原子更能吸引電子，即把電子“拉”向它那一方，而電子接近電負性高的原子的時間也較多，使得電荷不均勻分布。這樣形成了一組偶極，這樣的鍵就是極性鍵。電負性高的原子是負偶極，記作δ-；電負性低的原子是正偶極，記作δ+。鍵可以墮入兩個極端——極性和非極性。當構(gòu)成共價鍵的不同離子的電負性完全相同，便會產(chǎn)生完全非極性的鍵。相反，當兩者的電負性相差值大得足以令其中一種離子完全取走了另一方的一粒電子，就會產(chǎn)生極性鍵——或更貼切而言，是離子鍵。“極性”和“非極性”二詞多用于形容共...
                  
                            
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                  絕緣柵雙極晶體管
                  
                            
                  構(gòu)造這種晶體管結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性晶體管的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會透過把一個隔離的場效應晶體管（FET）結(jié)合，作為其控制輸入，并以雙極性晶體管作開關(guān)。用途和特征絕緣柵雙極晶體管其基本包裝為三個端點的功率級半導體元件，其特點為高效率及切換速度快，為改善功率級BJT運作的工作狀況而誕生。IGBT結(jié)合了場效晶體管柵極易驅(qū)動的特性與雙極性晶體管耐高電流與低導通電壓壓降特性，IGBT通常用于中高容量功率場合，如切換式電源供應器、馬達控制與電磁爐。大型的IGBT模組應用于數(shù)百安培與六千伏特的電力系統(tǒng)領(lǐng)域，其模組內(nèi)部包含數(shù)個單一IGBT元件與保護電路。IGBT為近數(shù)十年發(fā)明產(chǎn)物，第一代IGBT產(chǎn)品于1980年代與1990年初期，但其切換速度不快且開關(guān)截止時易產(chǎn)生拴鎖現(xiàn)象與二次崩潰現(xiàn)象，第二代IGBT產(chǎn)品便有很大的進展，第三代I...
                  
                            
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                  雙極性晶體管
                  
                            
                  發(fā)展及應用1947年12月，貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓在威廉·肖克利的指導下共同發(fā)明了點接觸形式的雙極性晶體管。1948年，肖克利發(fā)明了采用結(jié)型構(gòu)造的雙極性晶體管。在其后的大約三十年時間內(nèi)這種器件是制造分立元件電路和集成電路的不二選擇。早期的晶體管是由鍺制造的。在1950年代和1960年代，鍺晶體管的使用多于硅晶體管。硅晶體管截止電壓通常為0.5至1V，鍺晶體管的截止電壓更小，通常約0.2V，這使得鍺晶體管適用于某些應用場合例如高靈敏度的設(shè)備。在晶體管的早期歷史中，曾有多種雙極性晶體管的制造方法被開發(fā)出來。鍺晶體管的一個主要缺點是它容易產(chǎn)生熱失控。由于鍺的禁帶寬度較窄，如果要穩(wěn)定工作，則對其工作溫度的要求相對硅半導體更嚴，因此大多數(shù)現(xiàn)代的雙極性晶體管是由硅制造的。采用硅的另外一個原因是容易形成穩(wěn)定的二氧化硅，二氧化硅與其他金屬之間的粘性也大，容易制作電子器件。后來，人們也開始使...
                  
                            
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                  生命晶體管
                  
                            
                  從細菌到人類的細胞當中，都包含了某些蛋白質(zhì)，從事類似于晶體管(Transistor)的工作。在一般晶體管中，電子在半導體當中的流動是受到電位差所控制；而在細胞當中，某些跨越細胞膜表面的蛋白質(zhì)也是以電位差控制鈉、鉀、鈣等離子進出細胞。這些由蛋白質(zhì)所構(gòu)成的離子信道，其功能單位一般由四個蛋白質(zhì)次單元所組成，每一個蛋白質(zhì)次單元又由六次往復纏繞的多月生月太(Polypeptide)所構(gòu)成。這種六次往復纏繞的穿越細胞膜結(jié)構(gòu)常見于鈉、鉀、鈣等離子通道，其中尚包括螺旋狀(α-helix)的結(jié)構(gòu)，它們對于不同電荷離子的靈敏度相當高。關(guān)于離子信道結(jié)構(gòu)的研究已有多年，由于離子通道不容易形成結(jié)晶，所以其結(jié)構(gòu)的決定也就益發(fā)困難。有研究者嘗試利用抗體為骨架去幫助蛋白質(zhì)結(jié)晶，其所選用的蛋白質(zhì)分離自一種古細菌Aeropyrumpernix，蛋白質(zhì)名為KvAP，其作用是管控鉀離子進出細胞。KvAP有類似于船槳(Paddle...
                  
                            
                            
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                  雙極性晶體管相關(guān)標簽
                  

                    
                  
                        
                  
                                
                                半導體元件
                                
                            
                  
                    
                  
                
                  
            
                  
            
                  
                
                  
                    
                  
                        
                  
                            
                  
                                
                  
                                    
                                
                  
                                
                  
                                    
                                
                  
                                
                  
                                    
                                
                  

                            
                  
                            
                            
                  
                            
                            
                  
                            
                  
                        
                  
                    
                  
                
                  
                
                  
                    
                  家族譜大覽
                  
                    
                        
                  
                            
                            
                  
                            
                  
                        
                  
                        
                  張氏家譜
                  
                        
                  原書: [出版地不詳] : 張氏族譜編纂委員會, 2012年. 1冊(約65頁) : 插圖, 世系表.
注 : 此譜第13-25世資料全缺. 譜內(nèi)字派眾多繁復,詳請查閱譜第4-7頁.
始遷祖(一世) : (明) 張宜,字仰尼. 由山西洪洞遷至河南西華. 下有一子 : 張震.
房祖(3世) : 張學,字聚之 ; 張杰. 震公之子.
東斧柯村祖(26世) : 張尚林 ; 張尚雙 ; 張尚集...[等].
西斧柯村祖(28世) : 張大運 ; 張二運 ; 張顯平...[等].
王口村祖(26世) : 張尚德.
紅花田樓村祖(28世) : 張顯長 ; 張顯位 ; 張顯領(lǐng)...[等].
后喜崗祖(28世) : 張顯成 ; 張顯泰 ; 張顯玉...[等].
西門南門祖(26世) : 張尚敏 ; 張尚覺.
葉埠口流渠村祖(27世) : 張亮彩.
商水沈廟祖(28世) : 張顯鳳.
遲營黃莊祖 : 張牛 ; 張顯林 ; 張顯海.
大王莊劉子河祖(28世) : 張顯明.
陳莊祖(28世) : 張顯生.
散居地 : 河南省西華縣等地.
書名據(jù)書衣題編目.
                  
                        
                  
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                  巫氏房譜 七卷首一卷末一卷
                  
                        
                  原書: [出版地不詳 : 出版者不詳], 清光緒20[1894]七修. 9冊 : 插圖, 世系表.
收藏所 : 太原市尋源姓氏文化研究中心.
遠祖 : 巫暹. 由山西平陽夏縣徙閩.
始祖 : (唐) 巫羅俊,字定生,號青州.
宗祖(3世) : (唐) 巫萬宗,字真祥,改字符本. 明甫公之子.
萬宗公下有仁, 義, 禮, 智, 信五子. 此譜為信公第五子,吉公,之后世系資料.
派祖(14世) : 巫清周,字紹夷. 源公長子.
房祖(32世) : 巫雙郎 ; 巫全郎. 皆為欽相公之子.
雙郎房下支祖(35世) : 巫盛仁 ;  巫盛益.
全郎房下支祖(34世) : 巫子監(jiān),字固卿  ; 巫子彥,字俊臣.
字派(42世起) : 可成邦家英瑞 國朝立錫升揚 常繼先人后澤 世祚永傳益昌.
散居地 : 福建省寧化縣, 清流縣等地.
書名據(jù)版心題編目.
書名頁題 : 平陽巫氏房譜.
                  
                        
                  
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                  巫氏房譜 七卷首一卷末一卷
                  
                        
                  原書: [出版地不詳 : 出版者不詳], 清光緒20[1894]七修. 9冊 : 插圖, 世系表.
收藏所 : 太原市尋源姓氏文化研究中心.
遠祖 : 巫暹. 由山西平陽夏縣徙閩.
始祖 : (唐) 巫羅俊,字定生,號青州.
宗祖(3世) : (唐) 巫萬宗,字真祥,改字符本. 明甫公之子.
萬宗公下有仁, 義, 禮, 智, 信五子. 此譜為信公第五子,吉公,之后世系資料.
派祖(14世) : 巫清周,字紹夷. 源公長子.
房祖(32世) : 巫雙郎 ; 巫全郎. 皆為欽相公之子.
雙郎房下支祖(35世) : 巫盛仁 ;  巫盛益.
全郎房下支祖(34世) : 巫子監(jiān),字固卿  ; 巫子彥,字俊臣.
字派(42世起) : 可成邦家英瑞 國朝立錫升揚 常繼先人后澤 世祚永傳益昌.
散居地 : 福建省寧化縣, 清流縣等地.
書名據(jù)版心題編目.
書名頁題 : 平陽巫氏房譜.
                  
                        
                  
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                  汪氏宗譜 [不分卷]
                  
                        
                  原書: [出版地不詳 : 出版者不詳], 1992年(上饒 : 葉修路梓). 11冊 : 插圖, 世系表, 人像.
收藏所 : 太原市尋源姓氏文化研究中心.
注 : 此譜大部分版心不標卷數(shù). 影像次序混亂. 不確定是否齊全.
受姓祖(1世) : (周) 姓姬名汪,魯成公黑肱之子. 食采穎川,號汪侯.
宗祖(56世) : 汪道安,字邦寧. 師全長子. 婺源始祖.
始祖(85世) : (明清之際) 汪之濬,字若濱. 天鐸公之子.
霞源派祖(86世) : (清) 汪元材,字簡臣,號霞山. 之濬公次子. 居上饒64都.
元材公下房祖(88世) : (清) 汪福遠,字天申,號竹堂 ; 汪壽遠,號述堂 ; 汪祿遠,字爾康 ; 汪雙遠,字紹遠 ; 汪全遠. 皆為煒公之子.
南屏黃市頭祖(76世) : 汪伯京,名鎬,行鎰三七. 景文公次子.
毛家潭始祖(86世) : (清) 汪福洋. 仕俊公之子. 下有四子 : 汪文先 ; 汪文卿 ; 汪文生 ; 汪文進. 為四大房.
鉛山派祖(86世) : 汪元校,字魯玉. 之濬公第七子. 居鉛邑13都西坑源.
元植房祖 : (清) 汪元植,字仲建. 之濬公第四子.
竹林支祖(86世) : (明清之際) 汪國琮,字需吾. 子貞公長子.
黃荊山祖(81世) : (明) 汪德成,字君美. 成化年間自婺北19都遷上饒水南街.
德成公下派祖(85世) : (清) 汪之灝,字愧程,行三. 下有三子 : 汪元樞(無嗣) ; 汪元機,字定國 ; 汪元彬.
派字(97世起) : 宏揚祖訓 莊嚴慎謹 承先睦后 萬古恒綿.
散居地 : 江西省上饒縣, 鉛山縣等地.
書名據(jù)書簽題, 及版心題編目.
                  
                        
                  
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                  汪氏宗譜 [不分卷]
                  
                        
                  原書: [出版地不詳 : 出版者不詳], 1992年(上饒 : 葉修路梓). 11冊 : 插圖, 世系表, 人像.
收藏所 : 太原市尋源姓氏文化研究中心.
注 : 此譜大部分版心不標卷數(shù). 影像次序混亂. 不確定是否齊全.
受姓祖(1世) : (周) 姓姬名汪,魯成公黑肱之子. 食采穎川,號汪侯.
宗祖(56世) : 汪道安,字邦寧. 師全長子. 婺源始祖.
始祖(85世) : (明清之際) 汪之濬,字若濱. 天鐸公之子.
霞源派祖(86世) : (清) 汪元材,字簡臣,號霞山. 之濬公次子. 居上饒64都.
元材公下房祖(88世) : (清) 汪福遠,字天申,號竹堂 ; 汪壽遠,號述堂 ; 汪祿遠,字爾康 ; 汪雙遠,字紹遠 ; 汪全遠. 皆為煒公之子.
南屏黃市頭祖(76世) : 汪伯京,名鎬,行鎰三七. 景文公次子.
毛家潭始祖(86世) : (清) 汪福洋. 仕俊公之子. 下有四子 : 汪文先 ; 汪文卿 ; 汪文生 ; 汪文進. 為四大房.
鉛山派祖(86世) : 汪元校,字魯玉. 之濬公第七子. 居鉛邑13都西坑源.
元植房祖 : (清) 汪元植,字仲建. 之濬公第四子.
竹林支祖(86世) : (明清之際) 汪國琮,字需吾. 子貞公長子.
黃荊山祖(81世) : (明) 汪德成,字君美. 成化年間自婺北19都遷上饒水南街.
德成公下派祖(85世) : (清) 汪之灝,字愧程,行三. 下有三子 : 汪元樞(無嗣) ; 汪元機,字定國 ; 汪元彬.
派字(97世起) : 宏揚祖訓 莊嚴慎謹 承先睦后 萬古恒綿.
散居地 : 江西省上饒縣, 鉛山縣等地.
書名據(jù)書簽題, 及版心題編目.
                  
                        
                  
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                  虎岫李氏家譜
                  
                        
                  族譜名：虎岫李氏家譜
編纂者：不知
地區(qū)：臺灣彰化縣彰化市西興里
始祖：渡臺始祖李序山,李洪雙夫婦
原籍：福建泉州安溪縣修仁鄉(xiāng)
世代：總9世
年份：清光緒朝末
                  
                        
                  
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