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概述

像所有的SDRAM實(shí)現(xiàn)方法一樣，DDR2 SDRAM有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，這樣就能和計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)總線同步。像之前的DDR，DDR2 I/O 緩沖器在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)（一種叫做"double pumping"的技術(shù)）。DDR和DDR2的關(guān)鍵區(qū)別是：DDR2內(nèi)存單元的核心頻率是等效頻率的1/4（而不是1/2）。這需要一個(gè)4-bit-deep的預(yù)取隊(duì)列，在并不用改變內(nèi)存單元本身的情況下，DDR2能有效地達(dá)到DDR數(shù)據(jù)傳輸速度的兩倍。

DDR2的等效頻率由于電氣接口的改進(jìn)（包括on-die termination, prefetch buffers 和 off-chip drivers）而大增。然而，CAS等待時(shí)間卻增長(zhǎng)了。DDR2預(yù)讀取是4位，而DDR預(yù)讀取是2位，DDR3預(yù)讀取是8位。DDR SDRAM一般是2到3個(gè)總線周期的讀取等待時(shí)間，而DDR2一般是4到6個(gè)總線周期的讀取等待時(shí)間。

另外增加的帶寬導(dǎo)致的成本是芯片封裝更昂貴且更困難，因?yàn)锽GA封裝相比于先前采用TSSOP封裝技術(shù)生產(chǎn)的DDR SDRAM和SDR SDRAM更昂貴且更困難。這種封裝的改變需要更高的總線速度以維持信號(hào)的完整。

節(jié)能得以實(shí)現(xiàn)主要是由于生產(chǎn)過(guò)程中的模具收縮導(dǎo)致工作電壓的下降（從DDR的2.5V到DDR2的1.8V）。更低的內(nèi)存時(shí)鐘頻率也能使應(yīng)用程序不需要最高的可用數(shù)據(jù)傳輸率而得以降低功耗。

根據(jù)JEDEC 建議的最高電壓是1.9V，并且建議對(duì)于要求內(nèi)存穩(wěn)定使用的環(huán)境絕不能超過(guò)此值（例如服務(wù)器或其他任務(wù)關(guān)鍵設(shè)備）。此外，JEDEC規(guī)定內(nèi)存模塊必須在受到永久損害前承受2.3V的電壓（雖然它們可能正常工作時(shí)并不在此電壓水平）。

規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)

芯片和模塊

現(xiàn)時(shí)有售的DDR2-SDRAM已能達(dá)到DDR2-1200，但必須在高電壓下運(yùn)作，以維持其穩(wěn)定性。

歷史

2003年第二季度，DDR2推出了兩種頻率的內(nèi)存：其內(nèi)部時(shí)鐘頻率分別為200MHz（對(duì)應(yīng)PC2-3200）和266MHZ（PC2-4200）。它們?cè)谘舆t方面的表現(xiàn)不如原來(lái)的DDR內(nèi)存，使得總訪問(wèn)時(shí)間更長(zhǎng)。然而，原來(lái)的DDR技術(shù)時(shí)鐘頻率可超出200MHz（400MT/s）。更高性能的DDR芯片雖存在，但是JEDEC已表示他們不會(huì)將其標(biāo)準(zhǔn)化。

2004年底由于模塊到達(dá)更低的延遲變成現(xiàn)實(shí)，DDR2相比更早的DDR標(biāo)準(zhǔn)變得具有競(jìng)爭(zhēng)力。

向后兼容

臺(tái)式機(jī)所使用之DDR、DDR2 以及DDR3 存儲(chǔ)器的差異

DDR2 DIMMs沒(méi)有被設(shè)計(jì)成與DDR DIMMs向后兼容。DDR2 DIMMs的凹口位置與DDR DIMMs是不同的，并且用于臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存針腳數(shù)DDR2高于DDR DIMMs。DDR2有240針，DDR有184針。用于筆記本電腦的有200針的DDR和DDR2，但是DDR凹口的位置與DDR2有微小的不同。

高性能的DDR2 DIMMs與低性能的DDR2 DIMMs是兼容的；但是，混用高性能的內(nèi)存只能以低性能內(nèi)存的頻率工作。在系統(tǒng)中，更高性能的總線與低性能的DDR2內(nèi)存結(jié)合，則最終性能由低性能的內(nèi)存決定；然而在許多系統(tǒng)中這種性能損失可以通過(guò)設(shè)置內(nèi)存計(jì)時(shí)以致更低的延時(shí)來(lái)減緩。

ddr2l

是指筆記本電腦上的暫存存儲(chǔ)器，以acer,asus電腦為例，內(nèi)均建南亞科技，少數(shù)高級(jí)機(jī)種采用威剛科技。

南亞科ddr2l

延伸閱讀

JEDEC standard: DDR2 SDRAM Specification(JESD79-2F, November 2009)

JEDEC standard: DDR2-1066

JEDEC Standard No. 21C: 4.20.13 240-Pin PC2-5300/PC2-6400 DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM Design Specification (PDF) .JEDECSolid State Technology Association. 2008-10 [ 2008-12-26 ] .

Razak Mohammed Ali.DDR2 SDRAM interfaces for next-gen systems (PDF) . Electronic Engineering Times.

參見(jiàn)

SDR SDRAM

DDR SDRAM

DDR3 SDRAM

RDRAM

雙通道

FB-DIMM

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