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                  肖特基勢壘

                  2020-10-16
                  出處:族譜網(wǎng)
                  作者:阿族小譜
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                  優(yōu)點正向偏置:受熱激發(fā)的電子能夠漫延到金屬層。反向偏置:電子欲從半導體進入受到阻礙。由于肖特基勢壘具有較低的界面電壓,可被應用在某器件需要近似于一個理想二極管的地方。在電路設計中,它們也同時與一般的二極管及晶體管一起使用,其主要的功能是利用其較低的接面電壓來保護電路上的其它器件。然而,自始至終肖特基器件相較于其它半導體器件來說能被應用的領域并不廣。器件肖特基勢壘自身作為器件即為肖特基二極管。肖特基勢壘碳納米管場效應晶體管FET:金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層錯導致肖特基勢壘,所以我們可以使用這一勢壘來制作肖特基二極管或者晶體管等等。參見歐姆接觸

                  優(yōu)點

                  肖特基勢壘

                  正向偏置: 受熱激發(fā)的電子能夠漫延到金屬層。 反向偏置: 電子欲從半導體進入受到阻礙。

                  由于肖特基勢壘具有較低的界面電壓,可被應用在某器件需要近似于一個理想二極管的地方。在電路設計中,它們也同時與一般的二極管及晶體管一起使用, 其主要的功能是利用其較低的接面電壓來保護電路上的其它器件。

                  然而,自始至終肖特基器件相較于其它半導體器件來說能被應用的領域并不廣。

                  器件

                  肖特基勢壘自身作為器件即為肖特基二極管。

                  肖特基勢壘碳納米管場效應晶體管FET:金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層錯導致肖特基勢壘,所以我們可以使用這一勢壘來制作肖特基二極管或者晶體管等等。

                  參見

                  歐姆接觸


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